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工艺制程都是14nm,中芯国际追上英特尔了吗?

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发表于 2020-12-10 04:29:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
12 月 8 日点开半导体某行业大号,一个关于中芯国际的好消息扑面而来,题目如下图。


说实话,仅看标题就很振奋,中芯国际的工艺制程竟然已追上英特尔,老五追上老大,这速度可以!对英特尔来说,工艺制程被台积电接连甩开,芯片性能被 AMD 一再吊打,曾经的好伙伴苹果也甩手而去,2020 年不顺心的日子随手抓起来就是一大把,现在又添上中芯国际,日子真有种没法过的味道。
然而,点开标题却是 " 该内容已被发布者删除 "。


白高兴无疑了。
作为行业媒体,不可能空穴来风,一定有什么蛛丝马迹引发了猜想。查了查,还真有。12 月 4 日,有投资者在互动平台向中芯国际提问 " 请问近来公司 7nm 产品生产研发进展如何?在国内外将产生怎样的影响?"
不买股票的可能无法理解这句话背后的心情,尤其对中芯国际 IPO 上市第一天就上车的股民,7nm 工艺面世意味着在山顶站岗的日子终于要结束了,毕竟台积电 5nm 工艺制程刚投产,7nm 大规模量产,中芯国际 7nm 工艺面世的话,和台积电的差距缩小,公司估值将进一步提升。
然而现实比较骨感。
公司的回答是,第一代 FinFET(鳍状晶体管)14nm 在 2019 年四季度进入量产,第二代 FinFET 已进入小量试产。


回答中的 " 第二代 FinFET" 很容易引起联想,也是媒体报道容易出错的地方。因为 " 第二代 FinFET" 就是中芯国际下一代 "N+1" 工艺。在公司 2019 年第四季度财报会议上,梁孟松博士透露的 N+1 信息为,在功耗和稳定性方面,N+1 和 7nm 工艺非常相似。
换句话说," 第二代 FinFET" 等于 "N+1" 约等于 7nm,也就是 " 第二代 FinFET" 约等于 7nm。联系到英特尔的工艺制程目前最高是 10nm,所以结论就是:中芯国际工艺已追上英特尔。
上面结论的逻辑看起来丝丝入扣,实际是大错特错,因为台积电的 X nm 和英特尔的 X nm 完全是两码事,直接套数字会驴唇不对马嘴。
英特尔 14nm+++ 工艺制程和台积电 7nm 工艺制程,在数字上差出一倍,看起来后者应该更厉害才是,然而电子显微镜下,两种工艺制造的晶体管栅格仅差 2nm,英特尔 14nm+++ 的晶体管栅格宽度为 24nm,台积电 7nm 的晶体管栅格宽度为 22nm。


说实话,不到 9% 的差距,说 7nm 是 14nm++++ 都有点勉强。考虑到英特尔的 14nm+++ 是 14nm++ 的小改款,而 14nm++ 相对于 14nm、14nm+ 也是挤牙膏产品(见下图),所以台积电的 7nm 和英特尔的 14nm 相比,优势不会太大,这也是英特尔一直不服台积电的原因,有机会就强调比工艺制程先进与否,别比什么 Xnm,有本事比晶体管密度。


为何芯片制造工艺标准会如此混乱?答案和代工企业的宣传策略有关。
在台积电的对外宣传中,7nm 制程工艺有三个版本:
第一种是初代 7nm,由 DUV(深紫外)光刻机制造,俗称 N7,改良自 10nm;
第二种是 N7 的升级版,仍使用 DUV 光刻机,俗称 N7P;
第三种是真正的 7nm,首次引入 EUV(极紫外)光刻机制造,即 N7+。
骁龙 855、麒麟 980 的工艺采用 N7,骁龙 865 采用 N7P,麒麟 990 则采用 N7+。当时高通华为为争抢 7nm 首发,抢得头破血流,就和 7nm 的宣传噱头有关,但没有 EUV 光刻机加持的 7nm 都是 10nm 的各种马甲改良版,原因很简单,ASML 最先进的 DUV 光刻机 TWINSCAN NXT:2000i 的分辨率,最高只能到 38nm。


但普通用户不知道这些太专业的东西,以为只要是 7nm 就是好,于是用户、商家、代工厂皆大欢喜。
总之,英特尔的 14nm 和台积电的第一代 7nm 差距微乎其微。真正让台积电拉开与英特尔工艺制程差距的,是 EUV 光刻机制造的 7nm。英特尔 14nm 工艺的晶体管密度大约是 0.373 亿个 / 平方毫米,10nm 工艺的则增加了 1.7 倍,达到 1.008 亿个 / 平方毫米,与台积电 EUV 7nm(第三代 7nm 工艺)的相当。
中芯国际的技术人才班底来自台积电,梁孟松有过台积电、三星任职经历,所以 "N+1" 也就是 14nm+,工艺制程应该略高于台积电的 16nm,显然和英特尔的 14nm 是完全不能比的,毕竟英特尔的 14nm 相比台积电的第一代 7nm,差距都不算大。
前面的信息还提到,中芯国际的回复中有 " 第二代 FinFET" 字样,由于芯片的性能与晶体管结构和工艺制程有直接关系,那么第二代 FinFET 是否意味着可以和英特尔掰掰手腕呢?答案是也不行。
英特尔的 FinFET 和中芯国际的 FinFET 有所不同,是自成一家,不对外授权,而且目前英特尔已经应用到第三代 FinFET,仅代数上就要更高一级。


正因为如此,梁孟松对对 N+1 和 7nm 的界定是,在功耗和稳定性方面非常相似,而不是相同,也没有提及性能,这种措辞其实已经给出了谁更强的答案。英特尔虽然近年来在挤牙膏,但芯片大户的家底还是在的。

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